![]() Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву ![]() Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Диоды с отрицательным сопротивлением
Это диоды, на ВАХ которых имеются участки с отрицательным дифференциальным сопротивлением. По виду ВАХ делятся на приборы с характеристикой S – типа и N – типа. На этих ВАХ именно дифференциальное сопротивление является отрицательным, так как любое сопротивление есть величина положительная. Слово дифференциальное обычно опускают, называя просто отрицательное сопротивление. S – типа Каждому значению тока I соответствует одно значение напряжения U. Поэтому их называют приборами управляемыми током.
N – типа Каждому значению напряжения соответствует одно значение тока I. Эти приборы, управляемые напряжением. Говорят об отрицательной проводимости.
На ВАХ диодов
Туннельный диод.
Как пример диода с ВАХ N–типа. Для создания диодов данного класса используют туннельный эффект – «просачивание» электронов сквозь потенциальный барьер (характеристика 1) и диффузионный ток (характеристика 2). При определенных условиях осуществляют переход с характеристики 1 на характеристику 2. При критической концентрации носителей участка с отрицательным сопротивлением нет. 1. Для создания туннельных диодов используют p-n переходы с узкой областью объемного заряда. 2. Вырождение p и n областей (сильное легирование материала). Обуславливают узкий запорный слой. 3. Уровень Ферми расположен в разрешенной области. В валентной зоне p-области и в зоне проводимости n-области. 1. U=0. Электроны (зоны проводимости n-области противостоят уровням валентной зоны p-области). Переходы из области в область по горизонтали равны
Участок 1÷2÷3.
С Появляется диффузионный ток как у обычного диода. Участок 1÷7
Участок 3÷5 – рабочий участок с отрицательной проводимостью.
Эквивалентная схема
Обращенный диод
Разновидность туннельного диода
ВАХ переворачивают и считают обратную ветвь прямой. Тогда прямое сопротивление Предназначены для работы при малых сигналах. Надо помнить, что мало и обратное напряжение 0,3 – 0,5 В.
П/п фотоэлектронные приемники излучения
Фоторезисторы содержат: 1 – светочувствительный п/п,
3 – контакты. Под действием света увеличивается число свободных носителей заряда, что приводит к уменьшению сопротивления и соответственно к увеличению тока
E – напряженность электрического поля, S – Площадь сечения п/п,
ф – интенсивность облучения,
ВАХ – Параметры и характеристики 1. Интегральная чувствительность. Оценивается коэффициентом
С ростом температуры 2. Удельная чувствительность. Оценивается коэффициентом
3. Иногда используют параметр – относительное изменение сопротивления
4. Параметр кратности – 5. Спектральная чувствительность
6. Пороговая чувствительность 7. Инерционность прибора. Нарастание и спад определяются временем накопления носителей тока (неравновесных).
8. ТКФ – температурный коэффициент фототока
Особенность. Старение элемента со временем
Фотодиоды
– фотогальванический (вентильный) – фотодиодный (с внешним источником, приложенным в запирающем направлении). В фотогальваническом режиме осуществляется прямое преобразование световой энергии в электрическую. Под действием светового потока образуется пара носителей заряда, которая направляется к p-n переходу. При расстоянии до перехода меньше диффузионной длины пара электрон – дырка достигают перехода, обладая разной подвижностью и один из них является не основным носителем, поэтому один заряд как не основной преодолевает переход, а для другого условия перехода затруднены. В результате на одной стороне перехода образуется избыточный заряд электронов, а на другой – дырок. Состояние перехода изменяется, это воспринимается на выводах прибора как наличие фото-ЭДС.
ВАХ – фотогальваническому режиму соответствует квадрант IV. ВАХ – диодный режим – III. ВАХ – прямое включение диода – I. При Ф=0 ВАХ фотодиода совпадает с ВАХ обычного диода. При увеличении светового потока появляются дополнительные носители заряда, что приводит к смещению ВАХ. В фотогальваническом режиме имеем
В фотодиодном режиме ток I определяется как
Световая характеристика Частотная характеристика – зависимость выходного напряжения от частоты модуляции светового потока при определенном сопротивлении в цепи диода.
Светоизлучающие диоды Прибор с одним излучающим p-n переходом. Осуществляет непосредственное преобразование электрической энергии в световую за счет рекомбинации электрон-дырка. Не основные носители (инжектируемые эмиттером) рекомбинируют и излучают освободившуюся энергию в виде квантов света. (Избыточные электроны рекомбинируют в р-области, а избыточные дырки – в n-области). Длина волны излучаемого света однозначно определяется энергией кванта, которая пропорциональна ширине запрещенной зоны. Для диодов, изготовленных на основе арсенид галлия, Излучение возможно и при обратном включении светодиода. Свет излучается электронно-дырочной плазмой, возникающей в приборе. Однако интенсивность излучения меньше. Светодиоды работают в импульсном режиме. При этом через прибор можно пропускать значительно большие токи и получать в импульсе большую мощность излучения. Они обладают малой инертностью Возможна работа на частоте до 100МГц. Нестабильность амплитуды вспышки – 1% при фронте и спаде 3 нс. Могут быть изготовлены одиночными и матрицами. Особый интерес представляет ОПТРОН (оптронная пара). Он представляется совокупностью светодиода, генерирующего свет под действием электрического тока, и фотоприемник (фотодиод, фототранзистор), реагирующий на этот свет. Светодиоды легко сопрягаются с ИС. Свечение: голубое, зеленое, желтое, красное, оранжевое. Есть возможность изменения цвета свечения. 1. Смешивание двух или нескольких цветов. 2. Изменение тока. При увеличении тока цвет свечения изменяется благодаря насыщению одного цвета и увеличению интенсивности другого цвета.
3. Включение встречно-параллельно двух диодов с разным цветом свечения. При изменении полярности питающего напряжения меняется и излучаемый цвет. 4. Использование антистоксовекого люминофора для преобразования ИК излучения.
|
|||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-07-16; просмотров: 1379; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.15.10.194 (0.037 с.) |