Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Расчет сопротивления тиристора
, (2.13) где DUтир - падение напряжения на тиристоре, находящемся в открытом состоянии (таблица 2.2), В; Iср - средний ток выбранного тиристора (таблица 2.1), А = 1,25/16 = 0,078 Ом
2.7 Расчет коммутационного сопротивления при включении-выключениитиристоров Rком = , (2.14) где xa – индуктивное сопротивление обмотки трансформатора, Ом; m – число пульсаций за период. Rком = Расчет активного сопротивления УВ Активное сопротивление преобразователя для мостовых схем рассчитывается по формуле: Rп =Rтр+ 2×Rтир + Rком , (2.15) Rп = 0,6084+2*0,078+0,753=1,5174 Ом Расчет элементов системы управления Принципиальная схема одного канала системы управления двумя тиристорами мостового УВ (П.2) VT1 – транзистор генератора периодического напряжения (ГПН). Наклон линейно изменяющегося напряжения генератора регулируется подбором элементов R2, С1. Резистор R1 ограничивает амплитуду напряжения, поступающего с источника синхронизирующего напряжения (ИСН). Диод VD1 отсекает опасное для транзистора VT1 положительное напряжение ИСН. VT2 – транзистор компаратора (К). Он открывается, если линейно нарастающее напряжение с ГПН превышает заданный уровень напряжения управления Uу. VT3 – транзистор усилителя импульсов напряжения компаратора. С2, R6 – формирователь коротких импульсов управления для блока усилителя-формирователя (УФ) канала СИФУ. VT4 – транзистор усилителя мощности импульсов управления УФ. ТИ1 – импульсный трансформатор гальванической развязки (ГР). VD2, VD3, VD4 – диоды, предназначенные для отсечения паразитных импульсов отрицательной полярности, т.к. на управляющий электрод тиристора допускается подавать импульсы управления только положительной полярности. Выходная клемма 1 (3) подсоединяется к управляющему электроду, а клемма 2 (4) - к катоду тиристора.
Выбор транзистора VT 1 Выбор транзистора VT1 производится по максимальным напряжению Uкэ и току коллектора Iк, коэффициенту усиления по току β и мощности Рдоп.
Учитывая, что условия работы транзистора соответствуют условиям работы предварительного каскада усиления (малая мощность Рдоп ≤ 0,3 Вт, ток коллектора Iк ≥ 0,05 А, коэффициент усиления β ≥20), напряжение питания СИФУ (U п = 24 В) и вид транзистора (p - n - p),
Таблица 3.1 - Технические данные транзистора
|
|||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2021-06-14; просмотров: 235; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.220.26.37 (0.006 с.) |