Расчет сопротивления тиристора

 

                                                       ,                                  (2.13)

где DU_тир - падение напряжения на тиристоре, находящемся в открытом состоянии (таблица 2.2), В;

I_ср - средний ток выбранного тиристора (таблица 2.1), А

= 1,25/16 = 0,078 Ом

 

2.7 Расчет коммутационного сопротивления при включении-выключениитиристоров

                                                 R_ком = ,                                       (2.14)

где x_a – индуктивное сопротивление обмотки трансформатора, Ом;

m – число пульсаций за период.

R_ком =

Расчет активного сопротивления УВ

Активное сопротивление преобразователя для мостовых схем рассчитывается по формуле:

                                               R_п =R_тр+ 2×R_тир + R_ком ,                          (2.15)

R_п = 0,6084+2*0,078+0,753=1,5174 Ом

Расчет элементов системы управления

Принципиальная схема одного канала системы управления двумя тиристорами мостового УВ (П.2)

VT1 – транзистор генератора периодического напряжения (ГПН). Наклон линейно изменяющегося напряжения генератора регулируется подбором элементов R2, С1. Резистор R1 ограничивает амплитуду напряжения, поступающего с источника синхронизирующего напряжения (ИСН). Диод VD1 отсекает опасное для транзистора VT1 положительное напряжение ИСН.

VT2 – транзистор компаратора (К). Он открывается, если линейно нарастающее напряжение с ГПН превышает заданный уровень напряжения управления U_у.

VT3 – транзистор усилителя импульсов напряжения компаратора.

С2, R6 – формирователь коротких импульсов управления для блока усилителя-формирователя (УФ) канала СИФУ.

VT4 – транзистор усилителя мощности импульсов управления УФ.

ТИ1 – импульсный трансформатор гальванической развязки (ГР).

VD2, VD3, VD4 – диоды, предназначенные для отсечения паразитных импульсов отрицательной полярности, т.к. на управляющий электрод тиристора допускается подавать импульсы управления только положительной полярности. Выходная клемма 1 (3) подсоединяется к управляющему электроду, а клемма 2 (4) - к катоду тиристора.

 

 

Выбор транзистора VT 1

Выбор транзистора VT1 производится по максимальным напряжению U_кэ и току коллектора I_к, коэффициенту усиления по току β и мощности Р_доп.

Учитывая, что условия работы транзистора соответствуют условиям работы предварительного каскада усиления (малая мощность Р_доп ≤ 0,3 Вт, ток коллектора I_к ≥ 0,05 А, коэффициент усиления β ≥20), напряжение питания СИФУ (U _п = 24 В) и вид транзистора (p - n - p),

 

Таблица 3.1 - Технические данные транзистора

 

Тип транзи-стора	Максимальное напряжение «коллектор-эмиттер», Uкэ,В	Максима-льный ток коллектора, Iк, А	Коэффици-ент усиления по току (β)	Мощ-ность, Рдоп, Вт	Макси-мальная частота, мГц	Вид транзи-стора	Мате-риал
КТ361Д	40	0,05	20-90	0,15	100	p-n-p	кремний