![]() Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву ![]() Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Кинетика роста кристаллов при массовой кристаллизации
При адсорбции из ближайшей координационной сферы удаляется первая часть, при образовании двумерных кластеров - вторая, а при покрытии молекулы следующим слоем - третья часть молекул растворителя. Поэтому рост кристалла можно рассматривать как совокупность диффузии к кристаллу и трех последовательных стадий десольватации, кинетически более выгодных, чем одностадийный полный обмен внутрисферного растворителя на кристаллизант. На скорость роста несовершенного кристалла влияет количество точечных дефектов и дислокаций (dislocation - смещение), а также наличие блочной структуры и трехмерных включений в его объем. При этом наибольшее влияние на рост оказывают винтовые дислокации (рис. 24.5). Выход каждой винтовой дислокации на грань кристалла приводит к появлению ступени, которая облегчает десольватацию молекул кристаллизанта и их встраивание в решетку кристалла. Присоединение молекул кристаллизанта к торцу ступени подобно их пристраиванию к краям двумерных кластеров на совершенных гранях. Однако в противоположность двумерным кластерам, каждый из которых функционирует на грани кратковременно, выход винтовой дислокации может действовать длительное время.
Если на грань выходит множество винтовых дислокаций, то холмы роста взаимодействуют друг с другом, взаимно искажая свою форму. Часть холмов сливается в более крупные, вершины которых продолжают перемещаться по грани. Приблизившись к ребру, они могут видоизменяться, превращаясь в источник параллельных ступеней, двигающихся от ребра к центру грани. Молекула, атом или ион, подошедшие из раствора к поверхности роста, могут далеко не сразу попасть на нужное место и встроиться в кристаллическую решетку. При воздействии силовых полей атомов поверхности кристалла такой «кирпичик» может притянуться к поверхности, но оставаться свободным в своем передвижении вдоль нее, т. е. стать адсорбированным. Закрепиться же этот кирпичик может, лишь попав на соответствующее вакантное место решетки.
|
|||||
Последнее изменение этой страницы: 2021-05-12; просмотров: 134; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.119.118.43 (0.006 с.) |