Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Мдн (мон)- транзистори з індукованим каналом
На рис.39 наведена структура МДН- транзистора з індукованим каналом. Рисунок 39 - Принцип побудови МДН-транзистора з індукованим каналом n-типу
В початковому стані каналу немає. Він виникає (індукується) тільки в процесі роботи транзистору при певній Uзв. Пластина слабо легована. Опір високий. Крім того виток и стік утворюють з пластиною 2 p-n- переходи увімкнені назустріч, один з яких включений зворотно. Тому при поданні напруги Uсв і при Uзв=0 Іс = 0. При Uзв<0 не може бути істотної провідності між витоком і стоком, коли до поверхні НП притягаються додаткові дірки, Іс = 0. При позитивній напрузі на затворі відносно витоку Uзв>0>Uпор поверхневий шар на межі НП з діелектриком збагачується електронами, які притягуються з глибини р-шару (де вони є завдяки тепловій генерації вільних носіїв заряду) до затвору: виникає явище інверсії НП у примежовій зоні, коли р-шар стає n-шаром. Таким чином, між зонами n-шарів наводиться (індукується) канал, по якому може протікати струм. Такий транзистор діє тільки в режимі збагачення. На рис.40 наведені ВАХ МДН-транзистора з індукованим каналом. Рисунок 40 - Стокові (а) і стокозатворні (б) ВАХ МДН-трнзисторів з індукованим каналом
Величина Uпор залежить від концентрації домішок в НП та товщини діелектрика (прямо пропорційна). Переваги польових транзисторів: - великий вхідний опір Rвх – для унітронів 107 - 102 Ом, для МДН транзисторів 1012 - 1015 Ом; Він практично дорівнює для унітронів опору зворотно включеного p-n – переходу, а для МДН – опору діелектрика; - низький рівень власних шумів, тому що у польових транзисторах струм утворюється одним типом носіїв. Це виключає рекомбінацію носіїв, яка є однією з причин шумів у транзисторів; - висока щільність розташування елементів в кристалі; - висока термо- та радіаційна стійкість; - високий коефіцієнт підсилення потужності; - низька вхідна ємність, високі частотні властивості (для МДН транзисторів).
ДОМАШНЄ ЗАВДАННЯ: І Чому транзистор навивають "польовим"? Які інші назви він має? Поясніть ці назви. 2 За рахунок якого явища відбувається у польовому транзисторі керування вихідним струмом? Поясніть принцип дії польового транзистора з керуючим переходом. 3 В чому основна відміна у принципі дії польового та біполярного транзисторів?
4 Чи впливав величина вхідногоструму польового транзистора на величину його вихідного струму? 5 Чому польовому транзистору притаманний більший(у порівнянні з біполярним) вхідний опір? 6 Чому малість вхідного струму польового транзистора може вважатися його важливою перевагою перед біполярним транзистором? 7 3 яких двох характерних ділянок складаються вихідні характеристики польового транзистора? Дайте їм пояснення. 8 В якій області об’єму польового транзистора відбувається основне виділення тепла та саморозігрівання? 9 Якими параметрами характеризуються польові транзистори? Чому для їх описання не використовуються -параметри? 10 Чим визначаєтьоя верхня гранична частота польового транзистора? 11 Чому на еквівалентній схемі польового транзистора не зображаються вхідні кола? 12Чому МДН-транзиотор з індукованим -каналом відкривається лише при досить великій негативній напрузі на затворі? ІЗ Чому в МДН-транзиоторі струм між витоком тастоком йде тільки каналом, а не замикається черезматеріал підкладки? ВИКЛАДАЧ – Ковальова Т.І.
ЛЕКЦІЯ № 14 (2 год.)
|
|||||
Последнее изменение этой страницы: 2021-05-27; просмотров: 154; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.129.73.142 (0.007 с.) |