Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Для расчета полупроводниковых приборов. ⇐ ПредыдущаяСтр 4 из 4
Сопротивление диода постоянному току R0=Uа/Iа , (1) где Uа — напряжение на диоде в прямом направлении, В; Iа — ток через диод в прямом направлении, А. Сопротивление диода переменному току (дифференциальное сопротивление) Ri=∆Uа / ∆ Iа , (2) где ∆Uа — изменение прямого напряжения, В; ∆Iа — изменение прямого тока под действием изменения прямого напряжения, А. Крутизна вольт-амперной характеристики диода S=∆Iа/∆Uа, (3) Мощность потерь на аноде диода Pa= IаUа, (4) Входное сопротивление транзистора переменному току RBX = ∆UВХ/∆IBX, (5) где ∆UВХ — изменение входного напряжения, В; ∆IBX — изменение входного тока под действием изменения входного напряжения, А. Коэффициенты: усиления тока базы в схеме с общим эмиттером h21э=∆Iк/∆Iб, (6) передачи тока эмиттера в схеме с общей базой h21б = ∆Iк/∆Iэ, (7) где ∆Iк,∆Iб, ∆Iэ — изменения токов коллектора, базы и эмиттера. Связь между коэффициентом усиления тока базы h21э и коэффициентом передачи тока эмиттера h21б h21э = h21б/(1-h2lб) (8) Мощность потерь на коллекторе PK = IKUK, (9) где IK — ток коллектора, A; UK — напряжение на коллекторе, В
ЭЛЕКТРОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
ОСНОВНЫЕ ФОРМУЛЫ И УРАВНЕНИЯ Коэффициент усиления по напряжению KU=UВЫХ/UВХ, (1) где UВЫХ, UВХ — напряжения на выходе и входе усилителя. Коэффициент усиления по напряжению, выраженный в децибелах, KU=20lgK, (2) Коэффициент усиления многокаскадного усилителя K=K1K2…Kn,
КДБ= K1ДБ +K2ДБ+…+Kn ДБ , (3) где K1K2…Kn — коэффициенты усиления отдельных каскадов. Коэффициент частотных искажении усилительногокаскада М=К0/К, (4) где К0 —коэффициент усиления на средних частотах; К— коэффициент усиления на какой-либо частоте рабочего диапазона. Коэффициент частотных искажений, выраженныйв децибелах, МДБ=20lg М (5) Коэффициент частотных искажений многокаскадного усилителя Мобщ=М1М2...Мn, или МобщДБ=М1ДБ+М2ДБ +...+Мn ДБ (6) Коэффициент усиления лампового каскада на средних частотах (рис 1.) Kо=μRН/(RН+Ri), (7) где μ статический коэффициент усиления электронной лампы; Ri — внутреннее сопротивление электронной лампы переменному току, Ом; RH — сопротивление анодной нагрузки, Ом. Коэффициент усиления транзисторного каскада на средних частотах (рис.2)
KO=h21ЭRН/RВХ, (8) где h21Э — статический коэффициент усиления тока базы в схеме с общим эмиттером; RH —сопротивление коллекторной нагрузки, Ом; RBX — входное сопротивление транзистора, Ом. Сопротивление автоматического смещения в цепи катода лампового усилительного каскада RК=ЕС/IКО, (9) где ЕС — напряжение смещения, В; IКО — постоянная составляющая катодного тока, А. Напряжение смещения в транзисторном каскаде при использовании схемы эмиттерной температурной стабилизации UБЭ=IДЕЛR2-IЭОRЭ, (10) где IДЕЛ = EK/(R1+R2) — постоянный ток делителя в цепи базы транзистора; IЭО — постоянная составляющая тока эмиттера, А. Емкость блокировочного конденсатора в цепи катода (эмиттера) С≥10/(2πfНR), (11) где fН — нижняя частота спектра усиливаемых колебаний, Гц; R —сопротивление резистора в цепи катода (эмиттера), Ом. Электрический КПД усилителя η≥PВЫХ/PО, (12) где PВЫХ — выходная мощность усилителя; PО — мощность, расходуемая источником коллекторного (анодного) питания. Мощность, выделяемая внагрузке, PН= ηТPВЫХ, (13) где ηТ —КПД выходного трансформатора; PВЫХ — мощность, отдаваемая транзистором.
Сопротивление нагрузки, пересчитанное в первичную обмотку трансформатора (приведенное сопротивление) (рис.4), R ' Н= RН/n2, (14) где RH —сопротивление нагрузки; n — коэффициент трансформации выходного трансформатора. Коэффициент усиления каскада, охваченного отрицательной обратной связью, К * O=КO/(1+КОСКО), (15) где Ко — коэффициент усиления каскада до введения ООС; Кос — коэффициент обратной связи. Добротность колебательного контура Q=ZВ/rК, (16) где ZB —волновое сопротивление контура, Ом; rк — сопротивление потерь, Ом.
|
|||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-02-22; просмотров: 311; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.15.142.21 (0.01 с.) |