Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Вплив температури на параметри БТ. Схеми термостабілізації БТ.
Вплив температури на роботу біполярного транзистора обумовлений трьома фізичними факторами: зниження потенційних бар’єрів в переходах, збільшення теплових струмів переходів та збільшенням коефіцієнтів передачі струмів з ростом температури. Зниження потенційного бар’єру j К з ростом температури також, як і в простому p-n переході призводить до підсилення інжекції, в результаті чого збільшується вхідний струм транзистора, або, при незмінному струмові, знижується напруга на переході. Це зміщення описується ТКН (для кремнієвих транзисторів рівний - 3 мВ/град). Теплові струми переходів при зміні температури в рабочому інтервалі температур транзистора (-60 °...+ 80 ° C) можуть змінюватись на 1...2 порядки. Однак, таке зростання теплових струмів помітно проявляється лише на параметрах германиєвих транзисторів, що повязане з відносно великим значенням самих теплових стумів. В кремнієвих транзисторах теплові струми дуже малі, тому їх зміна від температури не має істотного впливу на їх характеристики. Збільшення коефіцієнту передачі струму эмиттера α і струму бази β з ростом температури обумовлено зменшенням швидкості рекомбінації електронів с дирками. На рис. 2. наведені типові температурні залежності коефіцієнтів α и β, нормованих до значень при температурі t =20 ° C, з яких слідує, що зміна коефіцієнту α виражена дуже слабо (в рабочому інтервалі температур вона не превищує кількох процентів), зміна коефіцієнту β може досягати кількох сотень процентів. Кращі температурні характеристики має схема СБ та СК. Температурна нестабільність характеристик транзистора в схемі СЕ вимагає застосування спеціальних заходів для термостабілізації робочої точки. До таких заходів відносяться: застосування радіаторів та додаткових тепловідводів, а також спеціальні схемотехнічні рішення, мета яких зафіксувати струм бази, струм емітера або напругу UБЕ, що зменшує вплив зміни температури на параметри транзистора рис. 3.
Статичні характеристики БТ.
Транзистор в електричних схемах використовується як чотириполюсник, який характеризується чотирма величинами: вхідною та вихідною напругами і вхідним та вихідним струмами (UВХ, UВИХ, IВХ, IВИХ). Функціональні залежності між цими величинами називаються статичними характеристиками транзистора. Дві з них визначаються як незалежні змінні, а дві виражаються у вигляді функцій цих незалежних змінних. У біполярному транзисторі в якості незалежних змінних вибирають вхідний струм і вихідна напруга. Тоді вхідна напруга і вихідний струм виражаються таким чином: Прослушать На практиці зручніше користуватися функцією однієї змінної. Для переходу до таких функцій необхідно другу змінну (яка в цьому випадку називається параметром характеристики), підтримувати постійною. У результаті виходять чотири типи характеристик транзистора: Прослушать
· характеристика (прямої)передачі струму:
Статичні характеристики транзистора можуть задаватися відповідними аналітичним виразами, а можуть бути представлені графічно. Кілька характеристик одного типу, отримані при різних значеннях параметра, утворюють сімейство характеристик. Сімейства вхідних та вихідних характеристик транзистора вважаються основними і приводяться в довідниках, з їхньою допомогою легко можуть бути отримані два інших сімейства характеристик. Конкретний вид статичних характеристик залежить від схеми ввімкнення транзистора.
|
|||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-01-24; просмотров: 122; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.190.217.213 (0.007 с.) |