![]() Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву ![]() Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Типовые структуры базовых элементов биполярных и униполярных ИМС
Биполярная ИС состоит из множества биполярных транзисторов, расположеных на кремниевом кристалле недалеко друг от друга и соединенных проводящими дорожками в соответствии с функциональным назначением. На Рис. 1.7 представлена на типовая структура биполярного n На практике, большая часть транзисторов — это n
Интегральные схемы суниполярными транзисторами называют МОП (металл-окисел-полупроводник) - структурами. Интегральные МОПсхемы состоят измножества МОПтранзисторов, расположенных рядом друг с другом на кристалле кремния и соединённых металлическимипроводниками в соответствии с требуемыми функциями схемы.На Рис. 1.14 представлена типовая структура nканального транзистора и непосредственно окружающей его области в МОП ИС. Электрически транзистор является полностью симметричным; сток и исток взаимозаменяемы. В этом примере предполагается,что область стока связана с поликремниевой«проводящей дорожкой» при помощи алюминиевой проводящей дорожки.Как уже упоминалось, МОПтранзисторявляетсясамоизолирующимся элементомсхемы. Необходимо только, чтобы слой оксида между соседними транзисторами былтолще, чем оксидный слой затвора — благодаря этому проводящая дорожка, проходящая над слоем оксида, не сможет действовать как управляющий электрод, наводяпроводящий канал между транзисторами.В результате данная структура становитсяболее компактной по сравнению с интегральным биполярным тразистором. Дополнительное снижение объёма появляется изза того, что нетнеобходимости обеспечивать контакт спроводящей дорожкой отдельно для каждого стока, затвора или истока.
5. Базовые элементы ИМС с инжекционным питанием и ПЗС Инжекция — физическое явление, наблюдаемое в полупроводниковых или гетеропереходах, при котором при пропускании электрического тока в прямом направлении через p-n-переход в прилежащих к переходу областях создаются высокие концентрации неравновесных («инжектированных») носителей заряда. Явление инжекции является следствием уменьшения высоты потенциального барьера в p-n-переходе при подаче на него прямого смещения.Явление инжекции лежит в основе работы многих полупроводниковых приборов: диодов, биполярных транзисторов, тиристоров, инжекционно-пролетных диодов, светодиодов и полупроводниковых инжекционных лазеров.Особенностью явления инжекции в гетеропереходах является возможность наблюдения явления сверхинжекции, при котором концентрация инжектированных носителей может превышать концентрацию легирующих примесей в области, из которой идет инжекция. Это явление принципиально важно для работы полупроводниковых инжекционных лазеров. Приборы с зарядовой связью (ПЗС),как и транзисторы,обладают свойством универсальности,позволяющим использовать их в самых разнообразных устройствах.Они применяются в цифровых ЗУ большой информационной емкости.В оптоэлектронных приемниках изображений на основе ПЗС создают формирователи видеосигналов.В радиотехнических системах обработки информации ПЗС используют при разработке линий задержки,фильтров различных типов,устройств спектрального анализа и обработки радиолокационных сигналов. Электрический сигнал в ПЗС представлен не током или напряжением,как в микросхемах транзисторах на транзисторах,а зарядом – зарядовым пакетом.Принцип действия ПЗС основан на накоплении и хранении зарядовых пакетов в потенциальных ямах под затворами и на зарядовых пакетов в потенциальных ямах под затворами и на перемещении зарядовых пакетовмежду соседними элементами при изменении управляющих напряжений – тактовых импульсов.Взаимодействие соседних элементов осуществляется с помощью переноса зарядовых пакетов в полупроводниковой подложке.Это взаимодействие называют зарядовой связью,что отражено в названии прибора. Для того чтобы между соседними элементами обеспечивалась эффективная зарядовая связь,расстояния между затворами должны быть достаточно малыми по сравнению с толщиной обедненных слоев под затворами.Благодаря непосредственной зарядовой связи между соседними элементами в ПЗС не нужны сигнальные проводники,необходимые в интегральных микросхемах содержащих транзисторы.На поверхности большей части кристалла распологаются только управляющие шины,асигнальнальные проводники используются лишь на входах и выходах ПЗС.
|
||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-08-16; просмотров: 895; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.133.144.18 (0.006 с.) |