![]() Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву ![]() Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Схема расщепления фазы (фазоинвертор) с единичным коэффициентом усиления. Применение.Стр 1 из 4Следующая ⇒
rэ0 = φT/ Iк = 25 Ом; Ku = Rк/(Rэ + rэ0) ≈ Rк/Rэ = 1.
Может использоваться в двухтактных усилителях.
Модель Эмберса – Молла. Iк = Iэ0(eUбэ/φт – 1) Начальный ток эмиттерного перехода Iэ0 зависит от мощности транзистора, его конструкции и температуры, а также от ширины эмиттерного перехода. φT – тепловой потенциал. φT = кТ/q, где к – постоянная Больцмана; q – заряд электрона. rэ0 = φT/ Iк – внутреннее сопротивление эмиттера. Тепловой коэффициент Uбэ = 2.1 mВ/ºС. Это означает, что при увеличении напряжения на коллекторе на 1В необходимо уменьшить Uбэ на 1 mВ с целью сохранения тока неизменным.
9. Нелинейные искажения при Rэ = rэ0. Кu = Rк/ rэ0 = Rк*Tк/ φT = Uп – Uк/ φT. Кu увеличивается если увеличивается Iк или меньше Uк.
10. Схемы задания общей точки. Недостатки. Применение. Iк0 = Iб0*h21 = (Uп – Uбэ/Rб)*h21. Недостатки: зависимость от h21.
Недостатки: параллельная ООС уменьшает входное сопротивление.
Делим резистор на два и среднюю точку подключаем к земле через конденсатор.
Токовые зеркала (эффект Эрли). Недостатки. Применение.
VT1 и VT2 расположены на одном кристалле в непосредственной близости друг от друга и имеют одинаковые параметры и температуру. То есть имеет место однозначное соответствие между Uбэ и Iк. Задавая ток коллектора на мост транзисторов мы вызываем такое изменение Uбэ, что ток коллектора второго транзистора в точности соответствует току первого. Недостатки: эффект Эрли. Эффект Эрли заключается в том, что изменение напряжения между коллектором и эмиттером влечет изменение напряжения между базой и эмиттером.
Токозадающим является VT1, включённый по схеме с ОЭ. Uк1 = Uп – 1.2 – подавлен эффект Эрли. VT3 включён по схеме с ОБ. Усиливает напряжение на Rн таким образом, чтобы обеспечить заданный Iпр.
Токовые зеркала используются в качестве коллекторной нагрузки ДУ и ОУ, что позволяет увеличивать их Кu даже в большей степени, чем при использовании коллекторной нагрузки источника тока. Токовые зеркала и отражатели токов также используются для задания режимов работы сложных электронных устройств и схем в том числе интегральных.
Отражатели тока.
Режимы работы транзисторов: активный (усилительный), инверсный, насыщения.
Основные режимы работы биполярных транзисторов: 1. Активный (усилительный) режим: эмиттерный p-n включён в прямом направлении, приоткрыт, коллекторный в обратном, закрыт. Характеризуется большим KI. Основной режим работы. 2. Инверсный режим: эмиттерный переход смещён в обратном направлении, коллекторный – в прямом. Недостатки: малый Ki и Uбэmax. Достоинства: высокое быстродействие, малое напряжение насыщения. Используется в быстродействующих переключающих схемах KIинв<< 1/10* KIусил (KIинв< 1/10* KIусил) UПmax< 7 В Эмиттерный переход сильнолегирован, коллекторный – слабо (с целью уменьшения UКmax). 3. Режим насыщения: оба p-n перехода транзистора включают в прямом направлении, открыты. 4. Режим отсечки: оба p-n перехода транзистора включают в обратном направлении, закрыты. Чередование режимов 3 и 4 позволяет в ключевых каскадах (в т.ч. в усилителях класса D) увеличить КПД до 90-98%.
|
|||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-08-01; просмотров: 637; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.129.63.13 (0.009 с.) |