![]() Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву ![]() Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Разновидности корпусов микросхем
- DIP (корпус с двумя рядами выводов по длинным сторонам микросхемы). Подразделяется на PDIP (корпус из пластмассы) и CDIP (корпус из керамики), а также HDIP (теплорассеивающий) и SDIP (маленький). - SIP (плоский корпус с выводами на одной стороне). HSIP (корпус теплорассеивающий с радиатором). - ZIP (плоский корпус с выводами, расположенными зигзагообразно). HZIP (с радиатором). - SOIC (похожа на DIP, но выводы параллельны поверхности корпуса). - SOP (то же самое, что и SOIC). HSOP (теплорассеивающий), PSOP (пластмассовый), SSOP (уменьшенный SOP), TSSOP (тонкий SSOP), SOJ (тот же SOP, но с выводами в виде буквы J). - QFP (выводы размещены на всех сторонах микросхемы). PQFP (пластмассовый), TQFP (тонкий QFP). - PLCC и CLCC (тот же пластмассовый или керамический QFP, устанавливаемый в специальную «кроватку»). - PGA (матрица из штырьковых выводов). - LGA (матрица контактных площадок). - BGA (матрица из шариков).
Классификация микросхем памяти. Основные характеристики ЗУ. Оперативные запоминающие устройства (ОЗУ): статические и динамические. Классификация микросхем памяти Основные характеристики ЗУ - емкость ЗУ (общее кол-тво бит информации, которое может храниться в ЗУ одновременно). - время обращения (полный цикл записи информации или ее считывания). - время цикла (максимальный интервал времени между двумя обращениями). - время выборки (временной интервал, определяемый от момента выдачи запроса передачи из памяти до момента появления требуемой информации на выходе ЗУ). - потребляемая мощность (средняя потребляемая мощность при максимальной частоте обращения и потребляемая мощность в режиме хранения). ОЗУ Оперативные запоминающие устройства (ОЗУ) осуществляют запись, хранение и считывание информации и работают только при включенном питании - ОЗУ являются энергозависимыми. ОЗУ по виду хранения информации разделяются на статические и динамические. В статическом ОЗУ в качестве элемента памяти используется триггер, в динамическом - конденсатор. ОЗУ называется RAM (random access memory - память с произвольным доступом). Статическое ОЗУ соответственно SRAM, динамическое DRAM.
Запоминающий элемент динамического ОЗУ Роль запоминающего элемента в статическом ОЗУ исполняет триггер. Такой триггер представляет собой схему с двумя устойчивыми состояниями, обычно состоящую из четырех или шести транзисторов. Схема с четырьмя транзисторами обеспечивает большую емкость микросхемы, а следовательно, меньшую стоимость, однако у такой схемы большой ток утечки, когда информация просто хранится. Также триггер на четырех транзисторах более чувствителен к воздействию внешних источников излучения, которые могут стать причиной потери информации. Наличие двух дополнительных транзисторов позволяет в какой-то мере компенсировать упомянутые недостатки схемы на четырех транзисторах, но, главное — увеличить быстродействие памяти.
Запоминающий элемент динамической памяти значительно проще. Он состоит из конденсатора и запирающего транзистора. Наличие или отсутствие заряда в конденсаторе интерпретируются как 1 или 0 соответственно. Простота схемы позволяет достичь высокой плотности размещения ЗЭ и, в итоге, снизить стоимость. Главный недостаток подобной технологии связан с тем, что накапливаемый на конденсаторе заряд со временем теряется. Среднее время утечки заряда ЗЭ динамической памяти составляет сотни или даже десятки миллисекунд, поэтому заряд необходимо успеть восстановить в течение данного отрезка времени, иначе хранящаяся информация будет утеряна.
|
|||||
Последнее изменение этой страницы: 2021-07-18; просмотров: 94; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.22.248.1 (0.007 с.) |