Мы поможем в написании ваших работ!
ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
|
Анализ элементной базы генератора напряжения
Параметры элементов схемы используемые при разработке ИМС приведены в таблицах 1.1 – 1.4.
Таблица 1.1 - Параметры транзистора КТ 805А [4, стр. 491,502,503,524]
| Параметр
| Обозначение
| Единица
измерения
| Данные о параметрах
| | Максимально допустимый постоянный
ток коллектора
| Ikmax
| А
| 5
| | Максимально допустимый импульсный
ток коллектора
| Ik, и max
| A
| 8
| | Постоянное напряжение коллектор – эмиттер при определенном сопротивлении в цепи база - эмиттер
| Uкэ R
| В
| 100
| | Постоянное напряжение коллектор – эмиттер
| Uкэ
| В
| 100
| | Граничное напряжение биполярного транзистора
| U кэо гр
| В
| 160
| | Сопротивление перехода база - эмиттер
| Rбэ
| кОм
| 0.01
| | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
| Pк
| Вт
| 30
| | Постоянный ток базы
| Iб
| А
| 2
| | Постоянный ток эмитера
| Iэ
| А
| 2
| | Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - база
| Uкб max
| В
| 150
| | Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер - база
| Uэб max
| В
| 5
| | Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером: отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы
| h21э
| -
| 15
| | Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером: частота, на которой h21э транзистора (включенного по схеме с общим эмиттером) равен единицы
| fгр
| МГц
| 10
| | Постоянный обратный ток коллектора
| Iкбо
| мА
| 60
| | Постоянный обратный ток коллектор – эмиттер при определенном сопротивлении в цепи база - эмиттер
| Ikэr
| мА
| 60
| | Постоянный обратный ток эмитера
| Iэбо
| мА
| 100
| | Напряжение насыщения коллектор - эмитер
| Uкэ нас
| В
| 2.5
| Продолжение табл. 1.1
| Напряжение насыщения база - эмиттер
| Uбэ нас
| В
| 2.5
| | Время рассеивания параметра биполярного транзистора
| tрас
| мкс
| -
| | Время включения параметра биполярного транзистора
| tвкл
| мкс
| -
| | Время включения параметра биполярного транзистора
| tвыкл
| мкс
| -
| | Емкость коллекторного перехода. При увеличении обратного напряжения емкость уменьшается
| Ск
| пф
| 60
| | Емкость эмиттерного перехода. При увеличении обратного смещения на эмиттере емкость уменьшается.
| Сэ
| пф
| 115
| | Температура p-n перехода
| Тп
| ◦С
| <100
|
Таблица 1.2 - Параметры транзистора КТ 502Е[4, стр.491,500,501,524]
| Параметр
| Обозначение
| Единица
измерения
| Данные о параметрах
| | Максимально допустимый постоянный
ток коллектора
| Ikmax
| мА
| 150
| | Максимально допустимый импульсный
ток коллектора
| Ik, и max
| мA
| 350
| | Постоянное напряжение коллектор – эмиттер при определенном сопротивлении в цепи база - эмиттер
| Uкэ R
| В
| 60
| | Постоянное напряжение коллектор – эмиттер
| Uкэ
| В
| 60
| | Сопротивление перехода база - эмиттер
| Rбэ
| Ом
| 10
| | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
| Pк
| мВт
| 350
| | Коэффициент шума транзистора
| Кш
| Дб
| -
| | Постоянный ток эмитера
| Iэ
| мА
| 1
| | Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - база
| Uкб max
| В
| 90
| | Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер - база
| Uэб max
| В
| 5
| | Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером: отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы
| h21э
| -
| 40…120
| Продолжение табл. 1.2
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером: частота, на которой h21э транзистора (включенного по схеме с общим эмиттером) равен единицы
| fгр
| кГц
| 1
| | Постоянный обратный ток коллектора
| Iкбо
| мкА
| 1
| | Постоянный обратный ток коллектор – эмиттер при определенном сопротивлении в цепи база - эмиттер
|
|
|
| | Постоянный обратный ток коллектора - эмиттера
| Iкэо
| мкА
| 1
| | Напряжение коллектор - база
| Uкб
| В
| 3
| | Ток коллектора
| Iк
| мА
| 0.6
| | Ток перехода коллектор - эмитттер
| Iкэо
| мкА
| 50
| | Выходная полная проводимость
| H22э
| мкСм
| 5
| | Емкость коллекторного перехода. При увеличении обратного напряжения емкость уменьшается
|
Ск
|
пф
|
20
| | Температура p-n перехода
| Тп
| ◦С
| <80
|
Таблица 1.3 - Параметры диода Д303[4, стр.473,474,476]
| Параметр
| Обозначение
| Единица
измерения
| Данные о
параметрах
| | Средний прямой ток: среднее за период
значение тока через диод
| Iпр.ср.
| А
| 3
| | Импульсный прямой ток: наибольшее мгновенное значение прямого тока, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи
| Iпр.и.
| А
| -
| | Максимально допустимое постоянное обратное напряжение
| Uобр max
| В
| 150
| | Среднее прямое напряжение: среднее за период значение прямого напряжения при заданном среднем прямом токе
| Uпр ср
| В
| 0.3
| | Средний прямой ток: среднее за период значение прямого тока через диод
| Iпр.ср
| А
| 3
| | Постоянный обратный ток, обусловленный
постоянным обратным напряжением
| Iобр
| мА
| 1
| | Время обратного восстановления: время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения
| Tвос.обр
| мкс
| -
| | Максимально допустимая частота: наибольшая
частота подводимого напряжения и импульсов тока, при которых обеспечивается надежная работа диода
| fmax
| кГц
| 5
|
Таблица 1.4 - Параметры диода Д242Б [4, стр.473,474,476]
| Параметр
| Обозначение
| Единица
измерения
| Данные о
параметрах
| | Средний прямой ток: среднее за период
значение тока через диод
| Iпр.ср.
| А
| 5
| | Импульсный прямой ток: наибольшее мгновенное значение прямого тока, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи
| Iпр.и.
| А
| -
| | Максимально допустимое постоянное обратное напряжение
| Uобр max
| В
| 100
| | Среднее прямое напряжение: среднее за период значение прямого напряжения при заданном среднем прямом токе
| Uпр ср
| В
| 1.5
| | Средний прямой ток: среднее за период значение прямого тока через диод
| Iпр.ср
| А
| 5
| | Постоянный обратный ток, обусловленный
постоянным обратным напряжением
| Iобр
| мА
| 3
| | Время обратного восстановления: время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения
| Tвос.обр
| мкс
| -
| | Максимально допустимая частота: наибольшая
частота подводимого напряжения и импульсов тока, при которых обеспечивается надежная работа диода
| fmax
| кГц
| 1.1
|
|