Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Устройство биполярного транзистора.
Биполярный транзистор – полупроводниковый триод с двумя взаимодействующими p-n переходами, усилительные свойства кот обусловлены явлениями инжекции и экстракции носителей заряда. Он имеет три слоя, соответственно три электрода и два p-n перехода (рис5,2). Площадь между n1-p намного меньше, чем между p-n2. Структура транзистора несимметрична. Слой, сильно легированный с меньшей площадью, служащий для инжекции носителей в базу, наз эмиттером (Э). Слой с большей площадью, служащий для экстракции носителей из базы и собирающий эти носители, наз коллектором (К). Средний слой, управляющий движением носителей от эмиттера к коллектору, наз базой (Б).*Через базу осуществляется связь двух p-n переходов.Транзисторы с однородной базой называются бездрейфовыми, с неоднородной – дрейфовыми. различают транзисторы n-p-n- и p-n-p- типов. Принцип работы транзисторов одинаков, различие заключается лишь в том, что в транзисторе n-p-n- типа через Б к К движутся электроны, инжектированные Э, а в транзисторе p-n-p- типа – дырки. Принцип действия транзистора. В активном нормальном режиме при подключении к электродам транзистора напряжений Е ЭБ иЕКБ, эмиттерный переход смещается в прямом направлении, а Кный – в обратном.В результате снижения потенциального барьера электроны из области эмиттера диффундируют через Эный переход в область базы (инжекция электронов), а дырки – из базы в область эмиттера. в базе повышается концентрация электронов. коэффициент инжекции: гамма э= Iэn/(Iэn+Iэр)=Iэn/Iэ, где Iэр и Iэn – дырочная и электронная составляющие тока эмиттерного перехода; Iэ – полный ток перехода. *Коллекторный переход смещен в обратном направлении, в базе на границе с коллектором уменьшается концентрация электронов. электроны диффундируют от ЭП к КП.большинство электронов, инжектированных в базу, не успевают рекомбинировать в ней с дырками. электроны идут к К. Для нейтральности базы из нее во внешнюю цепь уходит часть электронов,кот и создает ток базы. ток эмиттерного перехода больше тока коллекторного перехода. коэффициентом переноса Сигма пер= Ikn/Iэn.Для увеличения тока коллектора необходимо, чтобы время жизни электронов было намного больше времени переноса в базе. Для этого нужно:– умен концентрацию примесей в базе, тогда умен рекомбинационная составляющая тока эмиттера;– умен толщину базы w; - Sкп >> Sэп. *В коллекторном переходе может возникнуть размножение носителей заряда из-за ударной ионизации, которое характеризуется коэффициентом размножения M=1/[1-(Uобр/ Uпр)^n] Общий коэффициент передачи тока эмиттера в цепь коллектора альфа=Iкn/Iэ.
Токи в транзисторе. По 1 закону Кирхгофа для транзистора 5.4 ток Э равен сумме тока Б и тока К: Iэ=Iб+Iк, где Iэ=Iэр+Iэнек+Iкn-ток Э; Iб=Iэр+Iэрек-Iко-ток Б Этот ток составляет не более 1% от тока эмиттера; Iко- тепловой ток коллекторного перехода. Ток коллектора равен Iк=Iко+Iкn, где Iкn=аIэ.Отсюда Iк=аIэ+Iко.*Таким образом, в схемах с транзистором имеются две цепи: входная, в кот включается источник усиливаемых колебаний, и выходная, в кот включается нагрузочное сопротивление. Iэ является управляющим током, Iк– управляемым, а ток базы Iб– их разностью.
17.Модуляция толщины базы представляет собой зависимость толщины базы w от напряжения на коллекторе Uk w=f(Uk). Так как ширина эмиттерного перехода мала, изменения Uэб не влияют на ее значение. Коллекторный же переход из-за обратного смещения большой и сосредоточен в базе. При изменении Ukб изменяется ширина коллекторного перехода и толщина базы w тоже. Это приводит: а) к зависимости коэффициента передачи тока а от коллекторного напряжения а= f(Uk). б) к барьерной емкости коллекторного перехода добавляется диффузионная емкость, так как происходит изменение заряда вблизи перехода;в) к изменению частотных свойств транзистора: если увел Uk, умен толщина базы w, уменьш время пролета электронов в базе и увелич граничная частота транзистора; г) к тому, что при увеличении Uk, если Uэн постоянно, увеличивается Iэ, так как уменьшение толщины базы ведет к увеличению градиента концентраций носителей, от которого пропорционально зависит ток эмиттера;д) к тому, что при увеличении Uk и постоянном Iэ при уменьш толщины базы и неизменном градиенте концентраций носителей умен Uэн.
|
|||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-01-27; просмотров: 168; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.133.151.144 (0.004 с.) |